У владельцев автомобилей или мотто-техники, все чаще возникает потребность в необходимости регулирования постоянных напряжений для питания мощных инерций нагрузок. Например, вы решили сделать так, чтобы в вашем автомобиле плавно менялась яркость лампочек освещения в салоне, в фарах автомобиля, габаритных огней или например у вас сломался узел для регулирования оборотов в вентиляторе системы охлаждения автомашины, а заменить все это нечем.
Заменить данные элементы бывает вовсе нечем, по причине очень немалого расхода электричества. При этом потребуется установка усовершенствованных систем охлаждения или маломощных куллеров от компьютерных систем.
Чтобы решить такие виды проблем, вы можете установить широко-импульснуюе схему, которая управляет очень мощными транзисторами фирмы MOSFET. Эти детали могут скомутировать напряжение превышающее 160А.
При этом напряжение и них на затворе будет составлять всего 12-15В. Рассеиваемая мощность может заметно снизиться из-за того, что сопротивления в открытом транзисторе очень мало. Схемы управления в транзисторах устроены так, что смогут обеспечить разность напряжения между истоками не меньше 12-15В, иначе может увеличиться сопротивление канала, что в итоге может привести к перегреванию транзистора или вовсе, выводу его из строя.
Для таких нагрузок, у которых потребление электричества не больше 10А, просадка нагрузок бортового напряжения невозможна или не столь значительна. Поэтому вместо них можно применять схемы без дополнительных узлов для повышения напряжения.
Первая схема, так же называемая ШИМ-регулятор, собрана на базе логического КМОП. Схема – прямоугольный импульсный генератор, основанный на двух логических элементах, в которых за счет диодов, постоянно и раздельно изменяется частота заряда и разряда. При помощи этого можно изменять фазу выходящих импульсов и число эффективного напряжения при нагрузке. Устройство можно оборудовать любыми дополнительными модулями, начиная от панели управления К576ПУ2 и заканчивая даже К561ЛЕ5.
Полевой транзистор можно выбрать любой из MOSFET, так как данные детали могут выдерживать очень большие перегрузки, но, конечно же, желательно применять транзисторы с небольшими показателями проводимости тока. У таких элементов наименьший показатель сопротивления открытых каналов, что значительно уменьшает мощность рассеивания и позволяет применять радиаторы гораздо меньшего размера.
Простота и удобство – это лучшие достоинства этой схемы, недостатками можно назвать только то, что диапазон изменения меньше 100% и невозможность доработки схемы с целью дополнения разными приспособлениями, например плавного понижения или повышения напряжения при загрузке схемы.
Следующая схема имеет более хорошими характеристиками, хоть и состоит из большего количества элементов. Регулирование эффективного значения при загрузке варьирует от 0 до 12В и выполняется все это с помощью изменения силы напряжения, начиная от 8 и заканчивая 12В. Диапазон регулирования достигает почти 100%. Максимальная нагрузка электричества может быть больше, так как на это влияет тип силового поля транзистора.
Схему можете использовать как основную часть системы регулировки. Например, схема может поддерживать заданную температуру, ели вместо нагружаемого элемента, будет использоваться нагреватель и температурный датчик, подключенный к входу управления устройством.
Данные схемы, в основном, имеют в своей основе параллельные вибрирующие элементы, но схема ШИМ, разработана таким образом, что в основе ее микросхемы можно построить мультивибратор ждущего типа, показанного на следующем рисунке.
